TP90H050WS FET đơn, MOSFET_Win Chip_Nhà cung cấp chip MCU chuyên nghiệp

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	Transphorm
Loạt	-
Bưu kiện	Ống
trạng thái sản phẩm	OBSOLETE
Gói / Thùng	TO-247-3
Kiểu lắp	Through Hole
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C
Công nghệ	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	34A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	63mOhm @ 22A, 10V
Tản điện (Tối đa)	119W (Tc)
Vss(th) (Tối đa) @ Id	4.4V @ 700µA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	TO-247-3
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	10V
VSS (Tối đa)	±20V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	900 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	17.5 nC @ 10 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	980 pF @ 600 V