GPI65008DF56 FET đơn, MOSFET_Win Chip_Nhà cung cấp chip MCU chuyên nghiệp

Specifications

PDF1

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	GaNPower
Loạt	-
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	Die
Kiểu lắp	Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C (TJ)
Công nghệ	GaNFET (Gallium Nitride)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	8A
Vss(th) (Tối đa) @ Id	1.4V @ 3.5mA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	Die
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	6V
VSS (Tối đa)	+7.5V, -12V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	650 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	2.1 nC @ 6 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	63 pF @ 400 V