EPC2619 FET đơn, MOSFET_Win Chip_Nhà cung cấp chip MCU chuyên nghiệp

Specifications

PDF1

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	EPC
Loạt	eGaN®
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	Die
Kiểu lắp	Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 150°C (TJ)
Công nghệ	GaNFET (Gallium Nitride)
Loại FET	N-Channel
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	29A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	3.3mOhm @ 16A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id	2.5V @ 5.5mA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	Die
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)	5V
VSS (Tối đa)	+6V, -4V
Xả điện áp nguồn (Vdss)	100 V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	8.3 nC @ 5 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	1180 pF @ 50 V