EPC2108 Mảng FET, MOSFET_Win Chip_Nhà cung cấp chip MCU chuyên nghiệp

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	EPC
Loạt	eGaN®
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	OBSOLETE
Gói / Thùng	9-VFBGA
Kiểu lắp	Surface Mount
Cấu hình	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 150°C (TJ)
Công nghệ	GaNFET (Gallium Nitride)
Xả điện áp nguồn (Vdss)	60V, 100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	1.7A, 500mA
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	9-BGA (1.35x1.35)