EPC2107 Mảng FET, MOSFET_Win Chip_Nhà cung cấp chip MCU chuyên nghiệp

KIỂU	SỰ MIÊU TẢ
người bán	EPC
Loạt	eGaN®
Bưu kiện	Băng & Cuộn (TR)
trạng thái sản phẩm	ACTIVE
Gói / Thùng	9-VFBGA
Kiểu lắp	Surface Mount
Cấu hình	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Nhiệt độ hoạt động	-40°C ~ 150°C (TJ)
Công nghệ	GaNFET (Gallium Nitride)
Xả điện áp nguồn (Vdss)	100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C	1.7A, 500mA
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS	320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gói thiết bị của nhà cung cấp	9-BGA (1.35x1.35)